Çinko oksit ince filmlerin kemometrik yaklaşımla üretimi ve karakterizasyonu

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Hatay Mustafa Kemal Üniversitesi, FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ, KİMYA (YL) (TEZLİ), Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2022

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: ÖMER OTUZBİR

Danışman: YASİN YÜCEL

Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu

Özet:

Malzeme biliminde öne çıkan konulardan biri saydam iletken oksit filmlerin uygulamaları ve temel özellikleridir. Bu tür malzemelerin karakteristik özelliği, düşük elektriksel direnç ve görünür bölgede yüksek geçirgenliğe sahip olmalarıdır. Optik ve elektriksel özelliklerinden dolayı çinko oksit (ZnO) saydam yarıiletken filmler son yıllarda oldukça dikkat çekmektedir. ZnO elektromanyetik spektrumun geniş bir aralığında yüksek geçirgenliğe sahip bir malzemedir. ZnO ince filmler fiziksel veya kimyasal kaplama teknikleriyle üretilebilmektedir. Yarıiletken malzemelerin yüksek kaliteye sahip olmasında malzemenin üretiminde kullanılan metot önemli yer tutar. ZnO saydam iletken oksitlerin optik, yapısal ve elektriksel özellikleri uygun üretim parametreleri kullanılarak iyileştirilebilir. Bu nedenle çalışmamızda çinko oksit yarıiletken ince filmlerin kemometrik yaklaşımla üretimi ve fiziksel özelliklerinin geliştirilmesi hedeflenmiştir. Bu çalışmada çinko oksit ince filmler kemometrik tekniklerle optimize edilen üretim koşullarında SILAR yöntemiyle üretilmiştir. ZnO ince filmlerin SILAR yöntemiyle üretiminde etkili faktörler incelenmiş ve merkezi kompozit dizayn (CCD) ile yanıt yüzey yöntemi (RSM) kullanılarak optimum üretim koşulları belirlenemiştir. Elde edilen çinko oksit saydam yarıiletken filmlerin kristal yapısı ve morfolojik özellikleri X ışını difraksiyonu (XRD) ve taramalı elektron mikroskobu (SEM) ile karakterize edilmiştir.